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MMRF1009H
960-1215 MHz, 500 W, 50 V Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
MMRF1009H
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RF Power transistors, MMRF1009HR5 and MMRF1009HSR5, are designed for applications operating at frequencies between 960 and 1215 MHz. These devices are suitable for use in pulse applications.
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NI-780H-2L, NI-780S-2L Package Image
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应用笔记
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特点
RF Performance Table
特征
Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
Internally Matched for Ease of Use
Qualified Up to a Maximum of 50 V
DD
Operation
Integrated ESD Protection
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R5 Suffix = 50 Units, 56 mm Tape Width, 13-inch Reel.
These products are included in Our
product longevity program
with assured supply for a minimum of 10 years after launch.
RF Performance Table
Typical Pulse Performance
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 200 mA, Pulse Width = 128 µsec, Duty Cycle = 10%
Application
Pout
(W)
f
(MHz)
G
ps
(dB)
η
D
(%)
Narrowband
500 Peak
1030
19.7
62.0
Broadband
500 Peak
960-1215
18.5
57.0
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 1030 MHz, 500 W Peak Power
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恩智浦 (4)
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数据手册
ARCHIVED - MMRF1009HR5, MMRF1009HSR5 960-1215 MHz, 500 W, 50 V Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Data Sheet
PDF
版本 0
Jan 2, 2014
843.8 KB
MMRF1009H
英语
应用笔记
AN1955 - Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes
PDF
版本 1
Apr 29, 2014
112.4 KB
AN1955
英语
封装信息
98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins
PDF
版本 J
Mar 22, 2016
43.5 KB
SOT1793-1
英语
封装信息
98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins
PDF
版本 H
Mar 22, 2016
44.1 KB
SOT1792-1
英语
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