1.8-500MHz,1500W连续波,50V LDMOS宽带射频功率晶体管

MRF1K50N

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特性

  • 高漏极源雪崩能量吸收能力
  • 未匹配的输入和输出,可适用更宽的频率范围
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 电压范围为30至50V,简单易用
  • 适合线性应用
  • 集成的ESD防护,带有增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 符合RoHS规范
  • 推荐的驱动器:MRFE6VS25N (25W)
  • 工业、科学和医疗(ISM)
    • 激光生成
    • 等离子蚀刻
    • 粒子加速器
    • MRI、透热疗法、激光皮肤和磨削
    • 工业加热、焊接和干燥系统
  • 广播
    • 电台广播
    • VHF电视广播
  • 航空航天
    • VHF全向信标(VOR)
    • HF和VHF通信
    • 气象雷达
  • 移动无线设备
    • VHF和UHF基站

部件编号包含: MRF1K50GN, MRF1K50N.

射频性能表

典型性能

VDD = 50Vdc
频率
(MHz)
信号类型 输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
87.5-108(1,2)连续波1421连续波23.183.2
230(3,4)脉冲
(100 µsec,20%占空比)
1500峰值23.475.1

负载不匹配/耐用性

频率
(MHz)
信号类型 VSWR 输入功率
(W)
测试
电压
结果
230(3) 脉冲
(100 µsec,20%占空比)
> 65:1所有相角 15峰值
(3dB过驱)
50 无设备退化
1. 数据来自87.5-108MHz宽带参考电路。
2. 显示的数值为指定频率范围内的中心频带性能数。
3. 数据来自230MHz的窄带生产测试装置。
4. 所有数据均在一个装置中测量,器件焊接到散热器上。

文档

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