700-1300 MHz,350 W连续波,50 V LDMOS射频功率晶体管

MRF8VP13350N

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特征

  • 内部输入匹配,简单易用
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 工作电压最高可达50 VDD
  • 适用于有适当偏置的线性应用。
  • 集成的ESD保护
  • 符合RoHS规范
  • 915 MHz工业加热/焊接系统
  • 1300 MHz粒子加速器
  • 900 MHz TETRA基站

RF Performance Tables

1300 MHz

VDD = 50 Vdc

915 MHz

在915 MHz参考电路中,VDD = 48 Vdc

负载不匹配/耐用性

1. 在1300 MHz窄带测试电路中测量。

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