コンパクトモデル

コンパクトモデルは、アナログ回路シミュレータで使用される半導体デバイスの数学的記述（方程式）です。NXPには、SiMKitと呼ばれるシミュレータに依存しない小型トランジスタモデルライブラリがあります。ここでは、完全なドキュメントと完全なSiMKitソースコードを含む最新のモデル情報とダウンロードを見つけることができます。

5.6の新機能

SiMKitライブラリのバージョン5.6が利用可能になりました。このウェブサイトでは、以前のバージョンも同様に見つけることができます。このリリースの主な変更点は次のとおりです。

  • juncap2、psp102、psp103、jfetidg、psphvの単位スケーリング補正
  • Mextram 505をバージョン505.3.0に更新
  • dio500_protoがSiMKitに追加されました

$AUTOHREFLINKの詳細を読む[1657745378189696563004:C:SiMKit 5.6:ext]

製品 概要
先進ダイオードモデル Advanced Diodeモデルは、通常のダイオードモデルを拡張したもので、特に逆方向動作に関する説明が含まれています。
JFETIDG 独立したデュアルゲートJFET 詳細については、 https://nanohub.org/publications/173/2を参照してください 。
ユンキャップ JUNCAPモデルは、ほとんどのデバイスのソース、ドレイン、またはバルク接合によって形成されるダイオードの動作を記述します。側壁、底部、およびゲートエッジ接合プロファイルの違いの影響を含めるために、これらの3つの寄与はJUNCAPモデルで個別に計算されます。
ムエクストラム Mextramモデルは、最新のSiGeプロセスと堅牢なHVプロセスを含む、あらゆる種類のプロセスにおける縦型バイポーラトランジスタの優れた記述を提供します。速度飽和、塩基拡張、Kirk効果、および衝撃イオン化のような効果が役割を果たすバイポーラトランジスタの低ドープコレクタエピ層のモデリングに非常に効率的です。
モデル11 MOSモデル11(MM11)は、対称的な表面電位ベースのモデルで、弱い反転から強い反転への遷移を正確に物理記述します。
モデル20 MOSモデル20は、チャネル領域のMOSFET動作と薄いゲート酸化物下のドリフト領域のMOSFET動作を組み合わせた旧式の小型LDMOSモデルです。そのため、MOSモデル9のMOSモデル31と直列に、またはMOSモデル11のMOSモデル31と直列に、後継機として用いることが目的であった。
モデル31 MOSモデル31は、アナログ高電圧アプリケーションの回路シミュレーションやIC設計に使用される物理ベースのトランジスタモデルです。このモデルは、ジャンクション絶縁型の蓄積/デプレッション型MOSFETの電気的挙動を記述しています。
モデル40 MOSモデル40は、SOI(Silicon-on-Insulator)で処理されるアナログ高電圧アプリケーションの回路シミュレーションおよびIC設計に使用される物理ベースのトランジスタモデルです。
モデル9 MOSモデル9は、アナログ用途向けの電気回路シミュレーションおよび設計のための物理ベースの解析モデルです。サブスレッショルド電流、基板電流、出力コンダクタンスなど、トランジスタ動作のすべての関連領域における電気的特性について優れた説明を提供します。
モデルPSP 2011年まで、PSPモデルはNXP（旧フィリップス）とアリゾナ州立大学（旧ペン州立大学）のGildenblat教授のグループによって共同開発されてきました。2011年から2014年にかけて、NXPとデルフト工科大学が共同で開発を進めてきました。
モデルラ バイポーラアナログ集積回路の設計では、NPNトランジスタとPNPトランジスタの両方を回路設計に組み込むことで、より高い柔軟性が実現されます。今日のバイポーラ製造プロセスの多くは、標準のPNPトランジスタ構造として従来型のラテラルPNPを使用している。