NXP、屋外スモールセル基地局向けにブロードバンドLDMOS RF ICの業界で最も広範な製品ラインナップを発表

    NXP、屋外スモールセル基地局向けにブロードバンドLDMOS RF ICの業界で最も広範な製品ラインナップを発表

    8つの新デバイスにより、700~3,800MHzの全携帯電話帯域をカバー

    NXPセミコンダクターズN.V.は、スモールセル基地局向けにブロードバンド28V LDMOS 2段デュアルパス・ドハティ最適化ICの業界最大の製品ラインナップを発表しました。新しいLDMOS ICは業界をリードするNXPのRFパワー・トランジスタ製品ラインナップを構成しており、RF出力範囲は2.5~12Wで、今後導入が予定されている周波数帯を含め、700~3,800MHzの全周波数帯域で優れたRF出力、効率、ゲインを提供します。

    NXPセミコンダクターズ N.V.の上級副社長兼RFパワー・ビジネス・ユニット・ゼネラル・マネージャーのPaul Hartは「携帯電話の屋内外の通信品質とサービス向上へのニーズに対応するため、携帯電話網でのスモールセル導入が急速に進展しています。携帯電話業界における5Gへの移行が進む中で、こうした傾向はさらに加速するとみられます」と述べ、さらに「NXPの新しいLDMOS RF ICは、全周波数帯域と全RF出力レベルで、マイクロセル基地局の性能要件を満たします」と語りました。

    8つの新しいLDMOS IC製品はドハティ・パワーアンプに要求されるキャリアとピーキング段の2つのゲインブロックをシングル・デバイスに集積しています。そのうち4製品は対称型で、超広帯域特性のほか、最大900MHzのRF帯域幅と365MHzの瞬時帯域幅を提供します。一方、非対称型製品は700~3,800MHzの全周波数帯域をカバーします。全製品ともアナログ/デジタル・プリディストーション・ソリューションによる線形化が容易です。

    新製品は堅牢性が非常に高く、定格の2倍のRF入力出力での駆動時に、性能の低下や故障を招かずに、10:1のインピーダンス・ミスマッチ(VSWR)への対応が可能です。また、ダイとパッケージ・レベルでさまざまな機能を組み込んでいるため、非常にコンパクトなソリューションを実現します。これにより、屋外スモールセル基地局で重要な意味を持つ小型化に貢献します。

    ブロードバンド対称型ドハティ最適化パワーアンプICの特長:

    • A2I20D020N:動作周波数は1,400~2,300MHz、平均RF出力は2.5W、最大ゲインは29.7dB、最大効率は43パーセントで、TO-270WB-17プラスチック・パッケージを採用。
    • A2I20D040N:動作周波数は1,400~2,300MHz、平均RF出力は5W、最大ゲインは29.7dB、最大効率は46パーセントで、TO-270WB-17プラスチック・パッケージを採用。
    • A2I25D012N:動作周波数は2,100~2,900MHz、平均RF出力は2.2W、最大ゲインは27.7dB、最大効率は40パーセントで、TO-270WB-15プラスチック・パッケージを採用。
    • A2I25D025N:動作周波数は2,100~2,900MHz、平均RF出力は3.2W、最大ゲインは29.1dB、最大効率は40パーセントで、TO-270WB-17プラスチック・パッケージを採用。
    ブロードバンド非対称型ドハティ最適化パワーアンプICの特長:
    • A2I08H040N:動作周波数は728~960MHz、平均RF出力は9W、最大ゲインは30.7dB、最大効率は46パーセントで、TO-270WB-15プラスチック・パッケージを採用。
    • A2I20H060N:動作周波数は1,800~2,200MHz、平均RF出力は12W、最大ゲインは28.5dB、最大効率は44パーセントで、TO-270WB-15プラスチック・パッケージを採用。
    • A2I25H060N:動作周波数は2,300~2,690MHz、平均RF出力は10.5W、最大ゲインは27.5dB、最大効率は41パーセントで、TO-270WB-17プラスチック・パッケージを採用。
    • A2I35H060N:動作周波数は3,400~3,800MHz、平均RF出力は10W、最大ゲインは24dB、最大効率は33パーセントで、TO-270WB-17プラスチック・パッケージを採用。
    供給
    NXPは5月23日から26日まで米国サンフランシスコで開催されたInternational Microwave Symposium(IMS 2016、ブース番号:1839)に8つの新しいアンプICを出展しました。

    8つのLDMOS ICはすべて量産中です。リファレンス・デザインと評価ボードも用意しています。価格や詳細については、NXPの営業所または正規販売代理店にお問い合わせください。

    詳細はhttp://www.nxp.com/RFoutdoorsmallcellをご覧ください。

    NXPセミコンダクターズについて
    NXPセミコンダクターズは、よりスマートな世界を実現するセキュア・コネクションとセキュア・インフラを可能にし、人々の生活をより便利に、より良く、より安全にするソリューションを推進しています。組み込みアプリケーション向けのセキュアなコネクティビティ・ソリューションで世界をリードするNXPは、セキュアなコネクテッド・ビークル、エンド・ツー・エンドのセキュリティ/プライバシー、スマートなコネクテッド・ソリューションの市場における技術革新をけん引しています。60年以上にわたって蓄積した経験と技術を活かし、NXPでは世界35か国強で4万5,000名の従業員が活動しています。2015年の売上高は61億米ドルでした。詳細はWebサイトhttp://www.nxp.com/ja/(日本語)をご覧ください。

    NXPセミコンダクターズジャパンはNXPセミコンダクターズが開発および製造する車載、認証、インフラ/産業機器、コンシューマ向けのハイパフォーマンス・ミックスドシグナル製品やプロセッシング・ソリューション、高出力RFおよびスタンダード製品などを日本市場に提供しています。本社は東京都渋谷区で、大阪および名古屋に営業所があります。

    NXP、NXPロゴはNXP B.Vの商標です。他の製品名、サービス名は、それぞれの所有者の商標です。All rights reserved. © 2016 NXP B.V.

    リリース日

    2016年6月6日

    お問い合わせ

    伊藤 利恵
    Tel: 050-3823-7030
    rie.ito@nxp.com