NXP、RFの技術革新で60年の歴史:International Microwave Symposiumで5G時代に向けてスタート

NXP、RFの技術革新で60年の歴史:International Microwave Symposiumで5G時代に向けてスタート

NXPの先進LDMOS技術、小フットプリントで700W RFパワー・デバイスを実現

高出力RFパワー・トランジスタのNo. 1サプライヤであるNXP Semiconductors N.V.は、6月4日から9日まで米国ハワイ州ホノルルで開催されたInternational Microwave Symposium(IMS)に出展し、ブース(ブース番号:1132)で、多数の革新的なセルラー・インフラ・ソリューション/技術とともに、新しい5Gセルラー基地局コンセプトを紹介しました。さらに、NXPは会期中に計8つのワークショップと論文発表に参加し、さまざまな革新的技術を紹介しました。

NXPのRFパワー担当上席副社長兼ゼネラル・マネージャーのPaul Hartは「社会に与える影響の観点から見て、5Gは私たちが近い将来目にする最大の単一技術革新となり、将来のコネクテッド・ワールドを実現する可能性を秘めています」と述べ、さらに「NXPは60年にわたり、この分野で技術革新を続けてきました。今年のIMSで私たちは、新しいGaNとシリコンLDMOS製品を通じて5G実現のカギとなる革新的技術を紹介できることを楽しみにしています」と語りました。

5Gインフラを確立
コネクテッド・デバイスとスマート・アプリケーションが増加し続ける中で、NXPは5G New Radio(NR)に必要とされるサイズ、出力、周波数帯をサポートする専用のパワーアンプ(PA)ソリューションを提供しています。最近発表されたIHS Markitの調査によれば、5Gモバイル技術の普及により2035年までに世界で12兆4,000億米ドルの経済産出が実現すると予測されています。NXPのRF高性能セルラー・インフラ製品/技術は、主要なセルラー・インフラOEMの5G NR向け製品設計にすでに採用されています。NXPの5Gへの取り組みの詳細については、http://www.nxp.com/5Gradioをご覧ください。

次世代窒化ガリウム(GaN)技術をメインストリーム技術として推進
多数のキャリアの各種帯域への対応に向けた広帯域幅に対するニーズと高周波数帯での領域拡大は、基地局におけるGaNの普及を加速させてきました。ABI Researchによると、モバイル無線インフラ向け高出力半導体全体におけるRFパワーGaNデバイスの割合は2017年に約25パーセントに達する見通しです。5G NR標準の採用により、将来、GaNの使用がさらに普及すると予測されています。

NXPはクラス最高レベルのGaN技術の普及実現に注力しています。2015年から2016年にかけて、NXPはGaN RFトランジスタのラインナップを2倍以上に増やしました。2017年もGaN製品ラインナップの拡大を続けており、NXPはセルラー・インフラ市場のニーズへの対応だけでなく、産業/防衛市場向けにさまざまな出力範囲のフルGaNラインナップの提供が可能になります。NXPのGaN技術の詳細については、http://www.nxp.com/RFGaNをご覧ください。GaNの最新の革新的技術もIMSのNXPブースで紹介しました。

NXPのAirfast第3世代LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor:横方向拡散金属酸化膜半導体)製品
RFシリコンLDMOS製品は引き続き、セルラー基地局で最も広く普及しています。NXPは強固な市場シェアとリーダーシップにより、LDMOS製品ラインの各世代で大きな技術的進化を実現してきました。最新世代製品は効率、ゲイン、熱特性、信号帯域幅の大幅な性能向上を実現しています。こうした性能の向上により、5G向け次世代マクロ基地局とスマート・モビリティ・ソリューションの技術要件への対応が可能になっています。NXPのAirfastソリューションの詳細については、http://www.nxp.com/Airfastをご覧ください。

カバレッジと能力を向上するNXPのスモールセル・ソリューション
次世代ネットワークのカバレッジ、能力、速度を向上するために、無線通信企業はマクロセルに加え、スモールセルを使用するネットワークの高密度化が必要になると考えています。

NXPのスモールセル向けソリューションは、こうしたシステムレベルの進化を可能にする高度な統合レベルと小フォームファクタを実現します。NXPは周波数が700~3800MHzの高出力対称/非対称ICの包括的な製品ラインナップを提供しており、3Gから4Gへ、さらには5Gへの移行に対応しています。NXPのスモールセル・ソリューションの詳細については、http://www.nxp.com/RFoutdoorsmallcellをご覧ください。

NXPは包括的な線形化ソリューションを提供するため、アナログ・デバイセズNanoSemi Inc.などの業界パートナーとも協力しています。テスト結果や製品デモの詳細についてはhttp://www.analog.com/RadioVersehttp://www.nanosemitech.com/evaluation-platformをご覧ください。

詳細については、http://www.nxp.com/RFをご覧ください。

NXPセミコンダクターズについて
NXP Semiconductorsは、よりスマートな世界を実現するセキュア・コネクションとセキュア・インフラを可能にし、人々の生活をより便利に、より良く、より安全にするソリューションを推進しています。組み込みアプリケーション向けのセキュアなコネクティビティ・ソリューションで世界をリードするNXPは、セキュアなコネクテッド・ビークル、エンド・ツー・エンドのセキュリティ/プライバシー、スマートなコネクテッド・ソリューションの市場における技術革新をけん引しています。60年以上にわたって蓄積した経験と技術を活かし、NXPでは世界35か国強で3万1,000名の従業員が活動しています。2016年の売上高は95億米ドルでした。詳細はWebサイトhttp://www.nxp.com/jp/(日本語)をご覧ください。

NXPジャパンはNXP Semiconductorsが開発および製造する車載、認証、インフラ/産業機器、コンシューマ向けのハイパフォーマンス・ミックスドシグナル製品やプロセッシング・ソリューション、高出力RF製品などを日本市場に提供しています。本社は東京都渋谷区で、大阪および名古屋に営業所があります。

NXP、NXPロゴはNXP B.Vの商標です。他の製品名、サービス名は、それぞれの所有者の商標です。©2017 NXP B.V.

リリース日

2017年6月13日

お問い合わせ

伊藤 利恵
Tel: 050-3823-7030
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