Javascript must be enabled to view full functionality of our site.
NXP
产品
应用
设计中心
技术支持
公司
语言
English
中文
日本語
한국어
订单
中文
产品
处理器和微控制器
模拟和混合信号
音频和无线设备
接口
电源管理
射频
RFID / NFC
安全与认证
传感器
无线连接
特定应用产品
产品查找工具
恩智浦产品信息
设计建议工具
已停产
MRF5P21045NR1
2110-2170 MHz,10 W平均值,28 V,双通路横向N沟道射频功率MOSFET
MRF5P21045NR1
接收通知
存档
本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改,恕不另行通知。如需了解其他信息,请联系支持人员或您的销售代表。
滚动图片以放大
RF ISO 1486 image
MRF5P21045NR1专为2110至2170 MHz频率范围的W–CDMA基站应用而设计。适用于TDMA、CDMA和多载波放大器应用。适用于Doherty、正交、单端和推挽式应用的双通路拓扑。
数据手册
应用笔记
文档
快速参考
文档类别
.
恩智浦 (3)
筛选
完成
过滤方式
清除全部
数据手册
应用笔记
封装信息
清除全部
3 文件
排序方式
相关性
最新/按日期排序
数据手册
MRF5P21045NR1 2110-2170 MHz, 10 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Dual Path Lateral N-Channel RF Power MOSFET
PDF
版本 0
Apr 30, 2007
427.1 KB
MRF5P21045N
英语
应用笔记
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
PDF
版本 0
Mar 12, 2009
449.7 KB
AN3789
英语
封装信息
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins
PDF
版本 F
Jan 18, 2016
75.9 KB
SOT1736-1
英语
安全文件正在加载,请稍等
支持
您需要什么帮助?
Narrow your search
搜索
推荐链接
在恩智浦网络社区提问