面向IGBT和SiC MOSFET的高级高压隔离栅极驱动器

GD3100

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面向IGBT和SiC MOSFET的高级高压隔离栅极驱动器

GD3100, Advanced IGBT/SiC Gate Driver - Block Diagram

功能

主要特性

  • 高压隔离IGBT和SiC单栅极驱动IC器件功能
  • 负载电流15A(IL)
  • 单通道
  • 漏源导通电阻:500 mOhm RDS(ON)
  • 负载电源电压最小值-12V,最大值25V
  • 电源电压最小值5.6V, 最大值40V
  • 工作环境温度为–40至125°C
  • PWM和SPI接口和输入控制器

面向任何IGBT/SiC模块的高度集成和灵活性

  • 电流信号隔离
  • 10A开/关功率模块
  • 有源米勒钳位
  • 3.3或5.0V I/O
  • 与200-1700V IGBT/SiC兼容
  • 用于编程和诊断的SPI
  • 减少BOM成本和PCB尺寸

快速的过流或短路保护

  • 提供I-sense或DESAT sense
  • 二级关断
  • 软件关断

符合ISO26262 ASIL C/D功能安全要求(认证中)

  • VGE监控可验证PWM输入与门输出之间的通信
  • 故障安全引脚支持冗余栅极控制
  • 带循环冗余检查(CRC)的SPI安全设置
  • 强制的死区保护
  • 适用于模拟和数字电路的内建自测试(BIST)

部件编号包含: MC33GD3100A3EK, MC33GD3100B3EK, MC33GD3100BEK, MC33GD3100EK, MGD3100AM38EK, MGD3100AM58EK, MGD3100BM58EK, MGD3100BM38EK.

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