Javascript must be enabled to view full functionality of our site.
NXP
产品
应用
设计中心
技术支持
公司
语言
English
中文
日本語
한국어
订单
中文
产品
处理器和微控制器
模拟和混合信号
音频和无线设备
接口
电源管理
射频
RFID / NFC
安全与认证
传感器
无线连接
特定应用产品
产品查找工具
恩智浦产品信息
设计建议工具
射频
宏基站射频拉远头(RRH)
有源天线系统
航空与国防射频
射频放大器——中低功率
射频分立组件 – 低功耗
控制电路
车载无线电调谐器
雷达收发器和SoC
旧型号RF产品
射频分立组件 – 低功耗
射频宽带晶体管
JFET / MOSFET
JFET / MOSFET
BF1105R
BF510
BF511
BF513
BF545A
BF556A
BF5XX
BF861B
BF861C
BF992_994_996
BFR31
PMBF4391
PMBF4393
PMBFJ109
PMBFJ110
PMBFJ177
PMBFJ308
PMBFJ309
PMBFX
BF1105R
N沟道双栅极MOSFET
BF1105R
接收通知
增强型N沟道场效应晶体管。
查看产品图片
sot143r_3d
数据手册
产品详情
特点
特征
高正向传输导纳与输入电容比
内部自偏置电路,可确保良好的交叉调制性能
高达1 GHz的低噪声增益控制放大器
目标应用
专业通信设备
VHF和UHF电视调谐器
文档
快速参考
文档类别
.
恩智浦 (3)
筛选
完成
过滤方式
清除全部
数据手册
封装信息
包装信息
清除全部
3 文件
排序方式
相关性
最新/按日期排序
数据手册
N-channel dual-gate MOS-FETs
PDF
版本 3.1
Dec 2, 2010
351.0 KB
BF1105_R_WR
英语
封装信息
plastic surface-mounted package; reverse pinning; 4 leads
PDF
版本 1.0
Feb 8, 2016
235.3 KB
SOT143R
英语
包装信息
Tape reel SMD; standard product orientation 12NC ending 215
PDF
版本 1.0
Nov 7, 2012
247.4 KB
SOT143R_215
英语
安全文件正在加载,请稍等
支持
您需要什么帮助?
Narrow your search
搜索
推荐链接
在恩智浦网络社区提问