2700-2900 MHz,320 W,30 V横向N信道宽带射频功率MOSFET

MRF8P29300H
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特征

  • 典型脉冲性能:VDD = 30 V,IDQ = 100 mA
    信号类型 输出功率
    (W)
    f
    (MHz)
    Gps
    (dB)
    ηD
    (%)
    IRL
    (dB)
    脉冲(100 µsec,
    10%占空比)
    320峰值 2900 13.3 50.5 –17
  • 在32 Vdc,2900 MHz,320 W连续波峰值功率,300 µsec,10%空占比(3 dB过驱额定输出功率)时,能承受10:1 VSWR
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 内部匹配,简便易用
  • 工作电压最高可达32 VDD
  • 集成的ESD保护
  • 专为推挽操作而设计
  • 增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R6后缀 = 150个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘。

RF Performance Table

Typical Pulse Performance

VDD = 30 Volts, IDQ = 100 mA
  • Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 2900 MHz, 320 Watts Peak Power, 300 µsec, 10% Duty Cycle (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)

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