1.8-600MHz,1250W连续波,50V LDMOS宽带射频功率晶体管

MRFE6VP61K25H

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特性

  • 未匹配的输入和输出,可适用更宽的频率范围
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 工作电压最高可达50VDD
  • 特征参数取样自30V至50V,适用于更宽的功率范围
  • 适用于有适当偏置的线性应用。
  • 集成的ESD保护,带有增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R6后缀 = 150个,56mm卷带宽度,13英寸卷盘。

部件编号包含: MRFE6VP61K25GS, MRFE6VP61K25H, MRFE6VP61K25HS, MRFE6VP61K25-VHF.

射频性能表

典型窄带性能

VDD=50V,IDQ=100mA

应用电路 - 典型性能

负载不匹配/耐用性

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