1.8-500MHz,1500W连续波,50V LDMOS宽带射频功率晶体管

MRF1K50H

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特性

  • 高漏极源雪崩能量吸收能力
  • 非匹配的输入和输出
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 电压范围为30至50V
  • 高耐用性。处理65:1 VSWR。
  • 符合RoHS规范
  • 推荐的驱动器:MRFE6VS25N (25W)
  • 提供更低的热阻部件:MRF1K50N
  • 工业、科学和医疗(ISM)
    • 激光生成
    • 等离子蚀刻
    • 粒子加速器
    • MRI、透热疗法、激光皮肤和磨削
    • 工业加热、焊接和干燥系统
  • 广播
    • 电台广播
    • VHF电视广播
  • 航空航天
    • VHF全向信标(VOR)
    • HF和VHF通信
    • 气象雷达
  • 移动无线设备
    • VHF和UHF基站

部件编号包含: MRF1K50H.

射频性能表

典型性能

VDD = 50Vdc
频率
(MHz)
信号类型 输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
27连续波1550连续波25.978.3
81.36(1)连续波1400连续波23.075.0
87.5-108(2,3)连续波1475连续波23.383.4
230(4)脉冲
(100 µsec,20%占空比)
1500峰值23.774.0
1. 数据来自81.36MHz窄带参考电路。
2. 数据来自87.5-108MHz宽带参考电路。
3. 显示的数值为指定频率范围内的中心频带性能数。
4. 数据来自230MHz的窄带生产测试装置。

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