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窒化ガリウム(GaN)/LDMOS技術ポートフォリオを高出力製品の全ラインナップに拡大
NXP Semiconductors N.Vは業界をリードする性能をコンパクトなフットプリントで提供し、次世代5Gセルラー・ネットワークを可能にするセルラー・インフラ向けGaN/シリコンLDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor:横方向拡散金属酸化膜半導体)製品の革新的なポートフォリオをさらに拡大しました。
周波数域拡大、変調の高次化、キャリア・アグリゲーション、全次元(Full Dimension)ビームフォーミングなど、5Gコネクティビティの実現技術には、高度なモバイル・ブロードバンド・コネクティビティに対応するために技術基盤の拡張が必要になります。周波数域の活用や複数のネットワーク・フットプリントにより、送信アンテナ数が4から64を超えるMIMO技術が採用されることになります。5Gネットワークの未来を決定するのはGaN/シリコンLDMOS技術であり、NXPはRFパワーアンプの開発で先陣を切っています。
NXPの上席副社長 兼 RFパワー・ビジネス担当ゼネラル・マネージャーのPaul Hartは、次のようにコメントしています。「NXPは世界初のLDMOS製品を1992年に発表しました。LDMOS分野での25年間にわたるリーダーシップの実績に基づき、私たちはセルラー・アプリケーション向けに最高のリニア効率を実現した業界をリードするGaN技術を開発し、RF技術におけるリーダーシップをさらに拡大しています。最高のサプライチェーン、グローバルなアプリケーション・サポート、比類のない設計ノウハウを基礎に、NXPは5GソリューションをリードするRFパートナーとしての地位を確立しています」。
6月10日から15日まで米国ペンシルベニア州フィラデルフィアで開催されているInternational Microwave Symposium(IMS2018)で、NXPはAirfast第3世代シリコンLDMOSマクロ/屋外スモールセル・ソリューション・ポートフォリオを拡大する新しいRF GaN広帯域パワー・トランジスタを発表しました。新製品は以下の通りです。
GaN、シリコンLDMOS、SiGe、GaAsなどの分野のNXPの広範なRFパワー技術は、統合レベルが多様で周波数とパワー・スペクトルが幅広い5G向け製品オプションの提供を可能にしています。こうした広範なオプションと、NXPがデジタル・コンピューティングやベースバンド・プロセッシング向けに構築した各種製品との組み合わせにより、NXPはエンド・ツー・エンド5Gソリューションのユニークなサプライヤとしての地位を確立しています。
詳細については、IMS2018のNXPブース(ブース番号:739)にご来場いただくか、https://www.nxp.com/jp/products/rf:RF_HOME?tid=vanRF をご覧ください。
NXP Semiconductorsについて
NXP Semiconductorsは、よりスマートな世界を実現するセキュア・コネクションとセキュア・インフラを可能にし、人々の生活をより便利に、より良く、より安全にするソリューションを推進しています。組み込みアプリケーション向けのセキュアなコネクティビティ・ソリューションで世界をリードするNXPは、セキュアなコネクテッド・ビークル、エンド・ツー・エンドのセキュリティ/プライバシー、スマートなコネクテッド・ソリューションの市場における技術革新をけん引しています。60年以上にわたって蓄積した経験と技術を活かし、NXPでは世界30か国強で3万名を超える従業員が活動しています。2017年の売上高は92.6億米ドルでした。詳細はWebサイトhttp://www.nxp.com/jp/ (日本語)をご覧ください。
NXPジャパンはNXP Semiconductorsが開発および製造する車載、認証、インフラ/産業機器、コンシューマ向けのハイパフォーマンス・ミックスドシグナル製品やプロセッシング・ソリューション、高出力RF製品などを日本市場に提供しています。本社は東京都渋谷区で、大阪および名古屋に営業所があります。
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