1-2000 MHz, 4 W, 28 V Class A/AB RF Power MOSFET

  • 新規採用非推奨
  • このページでは、新規設計を推奨しない製品に関する情報を掲載しています。

製品画像を見る

製品詳細

セクションを選択:

Features

  • Typical Two-Tone Performance @ 1960 MHz, 28 Vdc, IDQ = 50 mA, Pout = 4 W PEP
    Power Gain: 18 dB
    Drain Efficiency: 33%
    IMD: –34 dBc
  • Typical Two-Tone Performance @ 900 MHz, 28 Vdc, IDQ = 50 mA, Pout = 4 W PEP
    Power Gain: 19 dB
    Drain Efficiency: 33%
    IMD: –39 dBc
  • Capable of Handling 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 1960 MHz, 4 W CW Output Power
  • Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
  • On-Chip RF Feedback for Broadband Stability
  • Integrated ESD Protection
  • RoHS Compliant
  • In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units,16 mm Tape Width, 7-inch Reel.

部品番号: MMRF1014N.

主要パラメータ

  • Frequency (Min) (MHz)
    1
  • Frequency (Max) (MHz)
    2000
  • Supply Voltage (Typ) (V)
    28
  • P1dB (Typ) (dBm)
    36
  • P1dB (Typ) (W)
    4
  • Die Technology
    LDMOS

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

サポート

お困りのことは何ですか??