1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

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製品詳細

Features

  • Wide Operating Frequency Range
  • Ruggedness
  • Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
  • Integrated Stability Enhancements
  • Low Thermal Resistance
  • Integrated ESD Protection Circuitry
  • RoHS Compliant
  • In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13-inch Reel.

部品番号: MMRF1316N.

主要パラメータ

  • Frequency (Min) (MHz)
    1.8
  • Frequency (Max) (MHz)
    600
  • Supply Voltage (Typ) (V)
    50
  • P1dB (Typ) (dBm)
    54.8
  • P1dB (Typ) (W)
    300
  • Die Technology
    LDMOS

RF Performance Tables

87.5-108 MHz Broadband

VDD = 50 Vdc

230 MHz Narrowband

VDD = 50 Vdc

Ruggedness

1. Measured in 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
2. Measured in 230 MHz narrowband test circuit.
3. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

サポート

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