750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor

MRF13750H

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These 750 W CW transistors, MRF13750H and MRF13750HS, are designed for industrial, scientific and medical (ISM) applications in the 700 to 1300 MHz frequency range. The transistors are capable of CW or pulse power in narrowband operation.

ブロック図

MRF13750H 915 MHz Reference Circuit

MRF13750H 915 MHz Reference Circuit
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Features

  • Internally input pre-matched for ease of use
  • Device can be used single-ended or in a push-pull configuration
  • Characterized for 30 to 50 V
  • Suitable for linear applications with appropriate biasing
  • Integrated ESD protection
  • Recommended driver: MRFE6VS25GN (25 W)
  • RoHS compliant
  • 915 MHz industrial heating/welding systems
  • 1300 MHz particle accelerators

部品番号： MRF13750H, MRF13750H-1300, MRF13750H-915MHZ, MRF13750HS.

RF Performance Table

Typical Performance

VDD = 50 Vdc
Frequency
(MHz)		 Signal Type Pout
(W)		 Gps
(dB)		 ηD
(%)
915 (1)CW75019.367.1
915 (2)Pulse
(100 µsec, 10% Duty Cycle)		85020.569.2
1300 (3)CW70017.256.0

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency
(MHz)		 Signal Type VSWR Pin
(W)		 Test
Voltage		 Result
915 (2) Pulse
(100 µsec, 10% Duty Cycle)		 > 10:1 at all Phase Angles 15.9 Peak
(3 dB Overdrive)		 50 No Device Degradation
1. Measured in 915 MHz narrowband reference circuit.
2. Measured in 915 MHz narrowband production test fixture.
3. Measured in 1300 MHz narrowband reference circuit.

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