NXP、画期的な1500W RFパワー・トランジスタを発表

業界最高のRF出力とともに、優れた耐反射特性と放熱特性を実現

NXPセミコンダクターズはいかなる周波数帯でも動作し最も強力な出力を提供するRFトランジスタを発表しました。新製品のMRF1K50Hは50V時に1.50kW CWを提供し、高出力RFアンプのトランジスタ数を削減することができます。これにより、アンプのサイズとBOMコストを低減します。MRF1K50Hは最大動作周波数が500MHzで、用途はレーザー光源、プラズマ光源から粒子加速器、産業用溶接機械、無線/VHFテレビ放送トランスミッタ、アマチュア無線リニア・アンプに至るまで、広い範囲にわたっています。

他の耐反射特性の高いLDMOSトランジスタと同様に、MRF1K50Hは65:1のVSWRへの対応が可能です。しかし、反射エネルギー吸収は先行製品である1.25kWのMRFE6VP61K25Hに対し50パーセント増加しています。こうした高い耐反射特性により信頼性が向上し、真空管を代替する優れたソリューションを提供します。

MRF1K50Hは標準的なエアキャビティ・セラミック・パッケージに封止されており、既存の高出力トランジスタとインピーダンス互換です。既存システムへの組み込みが容易なことから、プリント基板(PCB)の再設計が不要になります。このため、必要になるのは簡単な微調整だけです。

NXPセミコンダクターズのRFパワー・インダストリアル・テクノロジーズ担当シニア・ディレクターのPierre Pielは「新製品のトランジスタはRF設計の際に、市販製品の中で最高の出力と反射エネルギー吸収を実現する一方、既存のPCBにそのまま組み込むことができます」と述べ、さらに「MRF1K50Hは最も過酷な環境下での動作を必要とする産業機器の信頼性をさらに高めます」と語りました。

MRF1K50Hのオーバモールド・プラスチック・パッケージ版であるMRF1K50Nはさらなる信頼性の向上が可能で、MRF1K50Hに比べ熱抵抗を30パーセント低減します。NXPのプラスチック・パッケージ技術はRFトランジスタの性能向上を可能にするとともに、厳格な寸法公差と優れたハンダ接合により、アンプの製造性を向上します。

両パッケージ版の製品は80パーセントの効率(100MHz時)、23.5dBのゲイン、135Vの降伏電圧を提供します。量産出荷開始後、新トランジスタにはNXPの長期製品供給プログラムが適用され、最低15年の供給体制が確保されます。条件と対象製品リストはこちらをご覧ください。

MRF1K50HとMRF1K50Nは現在サンプル出荷中で、量産開始は2016年7月の予定です。
さまざまな周波数向けのリファレンス回路を用意しています。
価格や詳細については、NXPの営業所または正規販売代理店にお問い合わせください。

製品画像は以下の英文プレスリリースページからダウンロードいただけます。

NXPセミコンダクターズについて
NXPセミコンダクターズは、よりスマートな世界を実現するセキュア・コネクションとセキュア・インフラを可能にし、人々の生活をより便利に、より良く、より安全にするソリューションを推進しています。組み込みアプリケーション向けのセキュアなコネクティビティ・ソリューションで世界をリードするNXPは、セキュアなコネクテッド・ビークル、エンド・ツー・エンドのセキュリティ/プライバシー、スマートなコネクテッド・ソリューションの市場における技術革新をけん引しています。60年以上にわたって蓄積した経験と技術を活かし、NXPでは世界35か国強で4万5,000名の従業員が活動しています。2015年の売上高は61億米ドルでした。詳細はWebサイトhttp://www.nxp.com/ja/(日本語)をご覧ください。

NXPセミコンダクターズジャパンはNXPセミコンダクターズが開発および製造する車載、認証、インフラ/産業機器、コンシューマ向けのハイパフォーマンス・ミックスドシグナル製品やプロセッシング・ソリューション、高出力RFおよびスタンダード製品などを日本市場に提供しています。本社は東京都渋谷区で、大阪および名古屋に営業所があります。

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リリース日

2016年4月19日

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