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NXPは、60年以上にわたり無線周波数の技術革新とテクノロジをリードし、GaN on SiC、LDMOS、およびSiGeテクノロジを使用して、ミリワットからキロワットまでのセルラー・インフラおよび民生用および産業用アプリケーション向けのRFソリューションの幅広いポートフォリオを提供しています。
GaN、LDMOS、SiGeディスクリート・トランジスタ、IC、マルチチップ・モジュールのフル・ラインアップを揃え、多様なネットワークおよびアーキテクチャに対応するエンド・ツー・エンド・ソリューションです。これらのソリューションは、Sub-6 GHzとmmWaveのすべての周波数帯域を含み、すべてのセルラー規格に対応しています。
20~80 Wの無線用に設計された高出力Airfastディスクリート・ソリューション。
5~10 Wの無線およびマクロ・ドライバ用のマルチチップ・モジュール、IC、LNA、およびディスクリートmMIMOソリューション。
主要な5G mmWave帯域における高性能アナログ・ビームフォーミングIC。
NXPは、上面冷却パッケージング・テクノロジと性能の強化により、5Gアクティブ・アンテナ・システムの設計における厳しい要求に対応します。
2.4 GHz、5 GHz、7 GHz Wi-Fi®およびBluetooth®対応フロントエンドIC。WLANフロントエンドICの詳細を見る。
厳しい条件下でのアプリケーションに適した高出力GaNおよびLDMOSテクノロジ。
高出力アプリケーションにおけるソリッドステートRFの使用を容易にするために設計されたパワー・トランジスタ。
2-way携帯電話および車載無線に対応し、ブロードバンド性能を提供。
NXPの上面冷却RFアンプ・モジュール・ファミリ を含む電子製品が、2023年の5Gチップおよびモジュールのトップ10に選出されました。
開発ボード
400以上のRFパワー・アンプ設計を含む広範なライブラリにアクセスできます。
ドキュメント
NXPのインタラクティブな製品ガイドで、マクロ、mMIMO、民生向けおよび産業向けのポートフォリオをご覧ください。